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造备了一个Au/Pt/In0.2Ga0.8N肖特基原型太阳电池

更新时间: 2019-11-16
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  制备了一个Au/Pt/In0.2Ga0.8N肖特基原型太阳电池。采用热电子发射(TE)模子和热电子场发射(TFE)模子拟合了肖特基的正向I-V曲线,成果显示两种模子计较所获得的肖 ...

  正在4H-SiC肖特基二极管正向电流热电子发射理论根本上,得出了抱负因子、势垒高度及电阻随温度变化的特征值,并连系考虑三者随温度变化的特征提出了一种计较正向电流密度的理论模子通 ...

  针对极端下耐辐照半导体核探测器的研制需求,采用耐高温、耐辐照的4H碳化硅(4H-SiC)宽禁带材料制成肖特基二极管,研究了该探测器对241 Am源α粒子的电荷收集效率。从电容 ...

  正在研究高温下电阻Ron对肖特基势垒二极管正向特征的影响,以及各类反向电流密度分量对其反向特征的影响根本上,丈量并理论计较了300-528K范畴内Ti/4H-SiC肖特基势垒二 ...

  通过对阴极零场发射模子和肖特基热发射模子的理论阐发,能够发觉这两种模子都不克不及充实地考虑到现实阴极发射时存正在高电场强度的景象,鉴于这种局限性,提出一种介于场发射和热发射之间的模子, ...

  为了研究镧钼阴极概况发射机制,操纵新型阴极研究安拆研究阴极发射机能取概况元素La,O比例的关系,发觉概况层中La/O比例越高,阴极的发射机能越好。正在尝试根本上提出了金属La超微粒 ...

  引见了铂(Pt)/p型硅纳米线(p-SiNWs)肖特基二极管的制备方式,正在300~370 K温度范畴内,丈量了Pt/p-SiNWs肖特基二极管I-V特征.按照热发射(TE)、发生 ...

  本文基于人体放电模子别离对肖特基势垒二极管的阴极和阳极进行统一电压脉冲下的多次放电,操纵热电子发射理论、1/f噪声的迁徙率涨落模子和白噪声理论,别离深切研究静电放电毁伤对器件I- ...

  研究了AlGaN/GaN异质布局上的肖特基接触的根基道理及载流子的高温输运特征。万濠会网站。将AlGaN/GaN异质结SBD和AlGaN SBD,正在27~250℃进行尝试比力。发觉跟着温度上 ...

  采用高实空电子束蒸发法制做了基于4H-SiC外延材料的肖特基二极管,此中欧姆接触材料为Ti/Ni,肖特基接触材料为Ni。常温下,电流-电压(I-V)测试表白Ni/4H-SiC肖特 ...


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